4H碳化硅-氮化铝集成光子平台的演示
光学
2024-02-07 v1 应用物理
摘要
现有的碳化硅-绝缘体光子平台利用碳化硅下方的薄层二氧化硅提供光限制和模式隔离。这里，我们将下方的二氧化硅层替换为1微米厚的氮化铝，并首次展示了4H碳化硅-氮化铝集成光子平台。制备了高效光栅耦合器、低损耗波导和本征品质因数高达210,000的紧凑微环谐振器。此外，通过底切氮化铝层，碳化硅微环的本征品质因数提高了近一个数量级（180万）。最后，开发了一种光泵浦-探测方法来测量氮化铝层的热导率，估计其热导率是二氧化硅的30倍以上。
引用
@article{arxiv.2402.04026,
title = {Demonstration of 4H silicon carbide on aluminum nitride integrated photonics platform},
author = {Jingwei Li and Ruixuan Wang and Lutong Cai and Qing Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:2402.04026},
year = {2024}
}