从可见到中红外波段的硅氮化物集成光子学
光学
2024-05-17 v1 应用物理
摘要
最近，硅氮化物（Si3N4）光子集成电路（PIC）因其极低波导损耗而备受关注。硅氮化物集成光子学平台的应用数量正在不断增长，包括物联网（IoT）、人工智能（AI）、光学探测与制导（LiDAR）设备、混合神经形态计算和量子计算。其与III-V平台的异构集成导致了具有数千个元件的新型先进大规模PIC。本文综述了Si3N4集成电路技术的关键趋势，填补了该领域在可见到中红外波段运行的先进光子器件方面的信息空白。介绍了Si3N4集成电路微加工工艺的全面概述（包括沉积、光刻、刻蚀等）。最后，我们指出了硅氮化物光子学在超宽频段内性能的局限性与挑战，并提供了未来规模化和优化的途径与展望。
引用
@article{arxiv.2405.10038,
title = {Silicon nitride integrated photonics from visible to mid-infrared spectra},
author = {Kirill A. Buzaverov and Aleksandr S. Baburin and Evgeny V. Sergeev and Sergey S. Avdeev and Evgeniy S. Lotkov and Sergey V. Bukatin and Ilya A. Stepanov and Aleksey B. Kramarenko and Ali Sh. Amiraslanov and Danil V. Kushnev and Ilya A. Ryzhikov and Ilya A. Rodionov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2405.10038},
year = {2024}
}
备注
62 pages, 20 figures