基于外腔光纤布拉格光栅的窄线宽近紫外InGaN激光二极管
光学
2021-02-09 v1
摘要
我们实现了一种基于光纤布拉格光栅、发射波长为400 nm的InGaN激光二极管，并展示了其高相干性。得益于在近紫外波段制备的窄带光纤布拉格光栅，我们能够使自注入锁定二极管达到单模和单频状态。该器件表现出44 dB的边模抑制比和mW量级的输出功率。详细的频率噪声分析显示其积分线宽小于1 MHz、本征线宽为16 kHz。这种在近紫外波段具有紧凑低成本设计的窄线宽激光二极管，可在需要相干性和干涉分辨率的场合找到应用。
引用
@article{arxiv.2102.04129,
title = {Narrow Linewidth near-UV InGaN Laser Diode based on External Cavity Fiber Bragg Grating},
author = {Antoine Congar and Mathilde Gay and Georges Perin and Dominique Mammez and Jean-Claude Simon and Pascal Besnard and Julien Rouvillain and Thierry Georges and Laurent Lablonde and Thierry Robin and Stéphane Trebaol},
journal= {arXiv preprint arXiv:2102.04129},
year = {2021}
}