亚100 Hz本征线宽852 nm氮化硅外腔激光器
光学
2024-10-08 v2 应用物理
量子物理
摘要
我们展示了一种在工作波长852 nm附近本征线宽低于100 Hz的外腔激光器，选择该波长是因为其与铯原子的激光冷却和操控相关。该系统实现了24 mW的最大连续波输出功率、超过15 nm的波长调谐范围以及超过50 dB的边模抑制比。这一性能水平得益于精心设计的低损耗集成氮化硅光子电路作为外腔，并结合了商用的半导体增益芯片。该方法证明了紧凑型集成激光器实现亚kHz线宽的可行性，其核心是满足基于超冷原子的新兴传感器概念的需求，并且可以通过选择合适的半导体增益介质进一步扩展到更短的波长。
引用
@article{arxiv.2409.17382,
title = {Sub-100 Hz Intrinsic Linewidth 852 nm Silicon Nitride External Cavity Laser},
author = {Hani Nejadriahi and Eric Kittlaus and Debapam Bose and Nitesh Chauhan and Jiawei Wang and Mathieu Fradet and Mahmood Bagheri and Andrei Isichenko and David Heim and Siamak Forouhar and Daniel Blumenthal},
journal= {arXiv preprint arXiv:2409.17382},
year = {2024}
}