非局域自旋阀器件中的自旋依赖塞贝克效应
介观与纳米尺度物理
2018-11-16 v1
摘要
我们测量了Py/Cu和Py/Ag横向自旋阀随注入电流方向和大小的变化关系。在“临界”电流以上,自旋注入对电流方向表现出意外的依赖性。正电流比负电流显示出更高的自旋注入极化率。这意味着除了电流诱导的自旋注入外,还存在来自自旋依赖塞贝克效应的热诱导注入。由焦耳热引起的Py电极中的温度梯度负责向非磁通道注入过剩自旋。该效应对理解高电流自旋基器件(如自旋转移矩器件)具有重要意义。
引用
@article{arxiv.1811.06112,
title = {Spin-dependent Seebeck effect in non-local spin valve devices},
author = {Mikhail Erekhinsky and Fèlix Casanova and Ivan K. Schuller and Amos Sharoni},
journal= {arXiv preprint arXiv:1811.06112},
year = {2018}
}
备注
10 pages, 4 figures