利用隧道磁电阻探测 Mn2VGa 的负自旋极化
材料科学
2013-01-31 v1
摘要
铁磁 Heusler 化合物 Mn2VGa 被预测在多数自旋通道中存在赝能隙，这将导致负的隧道磁电阻。我们通过直流和射频磁控共溅射在 MgO(001) 衬底上合成了外延 Mn2VGa 薄膜，获得了近乎化学计量比的薄膜。XRD 分析显示，在 350{\deg}C、450{\deg}C 和 550{\deg}C 衬底温度下沉积的薄膜主要呈现 B2 有序结构。我们制备了具有 MgO 势垒和 CoFe 对电极的磁性隧道结。在高达 T_a=425{\deg}C 的后退火处理后，在零偏压附近获得了负 TMR，为反转自旋极化提供了证据。我们在相干势近似下计算了两个电极的能带结构，并用于计算 TMR(V) 特性，结果与我们的实验发现吻合良好。
引用
@article{arxiv.1210.2966,
title = {Negative spin polarization of Mn2VGa probed by tunnel magnetoresistance},
author = {Christoph Klewe and Markus Meinert and Jan Schmalhorst and Günter Reiss},
journal= {arXiv preprint arXiv:1210.2966},
year = {2013}
}
备注
12 pages, 6 figures