铁磁Heusler Rh2MnSb 薄膜中的双晶现象

首次使用DC磁晶 sputtering 制备了 epitaxially 生长的全Heusler Rh2MnSb 薄膜。薄膜在 MgO [001] 衬底上沉积，沉积温度分别为600{\deg}C、700{\deg}C 和800{\deg}C。我们报道了该薄膜（ nominal 厚度为200 nm）的结构、形貌、光学、磁光和磁性质。生长于600{\deg}C 的薄膜接近摩尔比且表现出典型Heusler合金的 L21 有序结构。单相 Rh2MnSb 薄膜具有接近 bulk 材料的 tetragonal 结构。X射线光电子能谱显示该薄膜为金属性，无污染物。tetragonal 薄膜表现出明显的规则双晶，大多数双晶域的 c 轴垂直于表面 due to 衬底约束。通过原子力显微镜和透射电子显微镜以及X射线衍射研究了双晶形成。磁性测量显示 Tc 约为220-275 K，饱和磁化为约55 emu/g，接近 bulk 材料。磁光 Kerr 效应测量显示在600 {\deg}C 制备的薄膜在室温下表现出铁磁行为并提示半金属行为。这些观察到的性质突显了 Rh2MnSb 薄膜在组成和结构控制方面的进一步研究潜力。