半赫斯勒合金 NiMnSb 薄膜的可调阻尼、饱和磁化强度与交换刚度
材料科学
2016-01-20 v1
摘要
半金属性半赫斯勒合金 NiMnSb 因其低磁阻尼和丰富的各向异性而成为自旋电子器件应用的有前途候选材料。本文利用铁磁共振（FMR）测量和第一性原理计算，研究外延生长的 NiMnSb 的成分如何影响饱和磁化强度 、吉尔伯特阻尼 和交换刚度 的磁动力学性质。 和 在化学计量比成分时呈现最大值，而吉尔伯特阻尼最小。我们发现理论与实验在 和 上高度定量吻合。计算得到的 与实验数据趋势相同，但量级更大。除材料独有的面内各向异性外，这些磁动力学性质的可调性可在将 NiMnSb 薄膜用于磁子器件时加以利用。
引用
@article{arxiv.1510.01894,
title = {Tunable damping, saturation magnetization, and exchange stiffness of half-Heusler NiMnSb thin films},
author = {Philipp Dürrenfeld and Felicitas Gerhard and Jonathan Chico and Randy K. Dumas and Mojtaba Ranjbar and Anders Bergman and Lars Bergqvist and Anna Delin and Charles Gould and Laurens W. Molenkamp and Johan Åkerman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1510.01894},
year = {2016}
}
备注
3 figures