无隙半赫斯勒 YPtSb 薄膜的制备与表征
材料科学
2012-11-26 v1
摘要
采用磁控共溅射法在 MgO 缓冲的 SiO2/Si(001) 衬底上制备了半赫斯勒 YPtSb 薄膜。X 射线衍射图谱和能量色散 X 射线光谱证实了其高质量生长和化学计量比。电阻率的温度依赖性显示直至低温均呈现半导体型行为。在 300K 时测得的霍尔迁移率为 450 cm2/Vs，远高于体材料值（300 cm2/Vs）。沿电流方向和垂直于电流方向施加磁场的平面内磁电阻（MR）测量显示出相反的 MR 符号，这表明可能存在拓扑表面态。
引用
@article{arxiv.1210.5808,
title = {Fabrication and characterization of the gapless half-Heusler YPtSb thin films},
author = {Wenhong Wang and Yin Du and Enke Liu and Zhongyuan Liu and Guangheng Wu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1210.5808},
year = {2012}
}
备注
16 pages, 3 figures, 1 table, submitted for publication