半导体半赫斯勒 YPtSb 薄膜的制备与表征
材料科学
2015-06-11 v2
摘要
理论预测半导体半赫斯勒化合物 YPtSb 在适当应变下可转变为拓扑绝缘体。在本工作中，我们首次通过磁控共溅射法，使用特制靶材制备了 p 型半导体半赫斯勒 YPtSb 薄膜。当在 600°C 下于 MgO (100) 衬底上生长 YPtSb 薄膜时，观察到具有 (111) 面平行于 MgO 衬底 (001) 面的织构结构。电学测量表明，YPtSb 薄膜的电阻率随温度升高而降低，表现出类半导体行为。在 300 K 时，载流子密度高达 1.15 × 10^21 cm^-3。通过红外光谱测得的 YPtSb 薄膜带隙约为 0.1 - 0.15 eV，这与理论预测及块体 YPtSb 的测量值吻合良好。
引用
@article{arxiv.1209.6288,
title = {Fabrication and characterization of semiconducting half Heusler YPtSb thin films},
author = {Rong Shan and Enrique V. Vilanova and Juan Qin and Anja Dion and Frederick Casper and Gerhard H. Fecher and Gerhard Jakob and Claudia Felser},
journal= {arXiv preprint arXiv:1209.6288},
year = {2015}
}
备注
Phys. Status Solidi RRL, DOI 10.1002/pssr.2012064xx (2012), accepted