LaPtSb：一种具有高热电性能的半赫斯勒化合物
材料科学
2016-06-13 v4
摘要
通过结合半经典玻尔兹曼理论和形变势理论的第一性原理计算，研究了半赫斯勒化合物 LaPtSb 的电子与输运性质。与许多典型半赫斯勒化合物相比，LaPtSb 在室温下展现出明显更大的功率因子，尤其是对于 n 型体系。加之极低的晶格热导率，通过精细调节载流子浓度，LaPtSb 的热电优值（ZT）可被优化至 2.2 的创纪录高值。
引用
@article{arxiv.1601.07690,
title = {LaPtSb: a half-Heusler compound with high thermoelectric performance},
author = {Q. Y. Xue and H. J. Liu and D. D. Fan and L. Cheng and B. Y. Zhao and J. Shi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.07690},
year = {2016}
}