通过电子结构设计优化低温 SnSe 化合物的热电性能
材料科学
2015-04-09 v1
摘要
最近报道 SnSe 化合物在 923 K 下具有峰值热电优值 (ZT) 2.62，但在低于 750 K 的温度下 ZT 值相对较低。本工作中，使用密度泛函理论计算了 SnSe 的电子结构，并通过半经典玻尔兹曼输运理论评估了随化学势（或载流子密度）变化的电学和热学输运性质，表明在 675 K 以下沿 a10 轴和 c 轴计算得到的 ZT 值与报道值一致，而沿 b 轴通过优化载流子浓度至 ~3.6×10^{19} cm^{-3} 可达到高达 2.57。揭示了价带附近的混合离子-共价键合以及重-轻能带重叠是较高热电性能的原因。
引用
@article{arxiv.1504.01853,
title = {Optimizing thermoelectric performances of low-temperature SnSe compounds by electronic structure design},
author = {Aijun Hong and Lin Li and Haixia Zhu and Zhibo Yan and Junming Liu and Zhifeng Ren},
journal= {arXiv preprint arXiv:1504.01853},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 6 figures