p型SnSe的准粒子能带结构和热电输运性质
材料科学
2015-06-19 v1
摘要
我们利用密度泛函理论和多体微扰理论计算了p型SnSe在低温Pnma相和高温Cmcm相中的准粒子能带结构和电子输运参数。Pnma相具有0.829 eV的间接带隙，而Cmcm相具有0.464 eV的直接带隙。两个相在能量范围内均表现出多个局部能带极值，该范围与载流子从全局极值出发的热能相当。我们计算了单晶和多晶材料的电子输运系数，以理解先前的实验测量结果。我们还讨论了输运系数对掺杂浓度和温度的依赖性，以确定最佳热电性能的掺杂条件。
引用
@article{arxiv.1406.1218,
title = {Quasiparticle band structures and thermoelectric transport properties of p-type SnSe},
author = {Guangsha Shi and Emmanouil Kioupakis},
journal= {arXiv preprint arXiv:1406.1218},
year = {2015}
}