全外延 Co2TiSn 薄膜的电子结构
材料科学
2011-02-24 v1
摘要
在本文中，我们报道了通过直流磁控共溅射制备的全赫斯勒（Heusler）化合物 Co2TiSn 薄膜的性质。通过在高于 600{\deg}C 的衬底温度下沉积在 MgO (001) 衬底上，获得了全外延、符合化学计量比的薄膜。这些薄膜在 L21 结构中高度有序，且居里温度略微超过了体相值。它们表现出显著的各向同性磁电阻，并且电阻率在顺磁态下变得强烈异常。薄膜呈弱亚铁磁性，Co 原子上的磁矩接近 ，并伴有较小的反平行 Ti 磁矩，这与理论预期一致。通过将 Co L3/L2 边的 X 射线吸收谱（包括圆二色性和线磁二色性）与 X 射线吸收和圆二色谱的从头算（ab initio）计算进行对比，我们推断 Co2TiSn 的电子结构本质上具有非局域特征。此前未被详细解释的光谱特征，在此结合末态能带结构得到了阐明。
引用
@article{arxiv.1010.5754,
title = {Electronic structure of fully epitaxial Co2TiSn thin films},
author = {Markus Meinert and Jan-Michael Schmalhorst and Hendrik Wulfmeier and Günter Reiss and Elke Arenholz and Tanja Graf and Claudia Felser},
journal= {arXiv preprint arXiv:1010.5754},
year = {2011}
}
备注
11 pages, 8 figures