半导体全 Heusler 化合物 Fe2TiSi 的实验实现
材料科学
2014-08-27 v1
摘要
通过磁控溅射制备了全 Heusler 化合物 Fe2TiSi 的单相薄膜。研究发现该化合物为半导体，带隙为 0.4eV。由于稀薄自由电子气被超顺磁杂质 Kondo 散射，其电阻率在高达室温的范围内呈现对数温度依赖性。该电子气的起源是外在的，源于无序或非化学计量比。电子结构的密度泛函理论计算与电子能量损失、光学及 X 射线吸收实验结果吻合极好。Fe2TiSi 有望作为热电材料得到应用。
引用
@article{arxiv.1402.5755,
title = {Experimental realization of a semiconducting full Heusler compound: Fe2TiSi},
author = {Markus Meinert and Manuel P. Geisler and Jan Schmalhorst and Ulrich Heinzmann and Elke Arenholz and Walid Hetaba and Michael Stöger-Pollach and Andreas Hütten and Günter Reiss},
journal= {arXiv preprint arXiv:1402.5755},
year = {2014}
}
备注
6 pages, 6 figures