低温下横向 Pt-$\mathrm{Cr_2O_3}$-Pt 器件中的局域与非局域自旋塞贝克效应
介观与纳米尺度物理
2021-02-26 v2
摘要
我们在低温下研究了反铁磁 - 与 Pt 异质结构中热驱动的自旋子自旋输运（自旋塞贝克效应，SSE）。监测局域与非局域 SSE 信号振幅随温度的变化，我们发现两者均随温度升高而减小，并分别高于 100 K 和 20 K 时消失。此外，两种 SSE 信号在低温下均呈现饱和趋势。非局域 SSE 信号在中等注入器-探测器间距下呈指数衰减，与弛豫 regime 中的自旋子自旋电流输运一致。我们估计 - 薄膜在 3 K 下的自旋子弛豫长度约为 500 nm。这一较短的自旋子弛豫长度，连同 SSE 信号对温度的强烈依赖，表明温度依赖的非弹性自旋子散射过程在中等范围自旋子输运中起重要作用。我们的观测与涉及热自旋子产生与输运的低耗散反铁磁自旋子存储及逻辑器件相关。
引用
@article{arxiv.2011.08885,
title = {Local and nonlocal spin Seebeck effect in lateral Pt-$\mathrm{Cr_2O_3}$-Pt devices at low temperatures},
author = {Prasanta Muduli and Richard Schlitz and Tobias Kosub and René Hübner and Artur Erbe and Denys Makarov and Sebastian T. B. Goennenwein},
journal= {arXiv preprint arXiv:2011.08885},
year = {2021}
}
备注
Accepted in APL Materials, For Supplementary Material see published version