利用肖特基隧道接触在 n 型锗沟道中电致自旋积累
材料科学
2012-03-22 v3 介观与纳米尺度物理
摘要
利用高质量的 Fe₃Si/n⁺-Ge 肖特基隧道势垒接触，我们研究了 n 型锗 (n-Ge) 沟道中的自旋积累。在 50 K 低偏置电流条件下的三端或两端电压测量中，仅在正向偏置接触处清晰检测到 Hanle 效应信号。这些信号为电学检测 n-Ge 沟道中产生的自旋积累提供了可靠证据。估算的 n-Ge 在 50 K 下的自旋寿命比近期报道的 n-Si 中的自旋寿命短一个数量级。自旋信号的幅度无法用常用的自旋扩散模型解释。我们讨论了实验数据与理论值之间差异的可能来源。
引用
@article{arxiv.1105.1012,
title = {Spin accumulation created electrically in an n-type germanium channel using Schottky tunnel contacts},
author = {K. Kasahara and Y. Baba and K. Yamane and Y. Ando and S. Yamada and Y. Hoshi and K. Sawano and M. Miyao and K. Hamaya},
journal= {arXiv preprint arXiv:1105.1012},
year = {2012}
}
备注
4 pages, 3 figures, To appear in J. Appl. Phys