非简并与重掺杂 p 型锗中的自旋积累
介观与纳米尺度物理
2012-03-20 v1
摘要
研究了作为空穴浓度 p (10^16 - 10^19 cm-3) 函数的由 Fe/MgO 隧道接触在 p 型锗中诱导的自旋积累。对于所有 p 值，接触均无整流效应和肖特基势垒，保证了自旋注入到 Ge 中，并防止了通过界面态的两步隧穿导致的自旋积累增强。观察到的自旋积累在非简并掺杂 (p ~ 10^16 cm-3) 时最小，并在重掺杂 Ge 中增加。这一趋势与自旋注入和扩散理论的预期相反。对于重掺杂 Ge，观察到的自旋积累比预测值大几个数量级。
引用
@article{arxiv.1201.5552,
title = {Spin Accumulation in Nondegenerate and Heavily Doped p-Type Germanium},
author = {S. Iba and H. Saito and A. Spiesser and S. Watanabe and R. Jansen and S. Yuasa and K. Ando},
journal= {arXiv preprint arXiv:1201.5552},
year = {2012}
}
备注
To appear in Appl. Phys. Express