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室温下向p型锗的动态自旋注入

材料科学 2015-06-12 v3

作者: Mariko Koike , Eiji Shikoh , Yuichiro Ando , Teruya Shinjo , Shinya Yamada , Kohei Hamaya , Masashi Shiraishi

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摘要

我们展示了利用自旋泵浦在室温下向p型锗(Ge)的动态自旋注入。产生的纯自旋电流通过p型Ge样品中的逆自旋霍尔效应(ISHE)转换为电荷电流。在室温下检测到由ISHE产生的清晰电动势。p型Ge的自旋霍尔角估计为θ_SHE = 2.6×10^{-3}，远大于p型Si的自旋霍尔角。

关键词

自旋注入锗自旋泵浦逆自旋霍尔效应自旋霍尔角室温

引用

@article{arxiv.1212.3089,
  title  = {Dynamical Spin Injection into p-type Germanium at Room Temperature},
  author = {Mariko Koike and Eiji Shikoh and Yuichiro Ando and Teruya Shinjo and Shinya Yamada and Kohei Hamaya and Masashi Shiraishi},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1212.3089},
  year   = {2015}
}

备注

14 Pages, 3 Figures, 1 Table (To appear in Applied Physics Express)