锗中的负轨道霍尔效应

我们的研究揭示了锗（Ge）薄膜中存在负逆轨道霍尔效应（IOHE）这一突破性发现。我们采用了创新的轨道泵浦技术，利用 YIG/Pt(2)/Ge($t_{Ge}$) 和 YIG/W(2)/Ge($t_{Ge}$) 异质结构将自旋 - 轨道耦合电流注入锗薄膜。通过综合分析，我们观察到由相干（射频驱动）和非相干（热驱动）自旋 - 轨道泵浦技术产生的信号显著降低。这些降低归因于锗中存在显著的强负 IOHE，其量级与 Pt 中的自旋到电荷信号相当。我们的研究结果表明，尽管锗中的自旋到电荷转换可忽略不计，但轨道到电荷转换却表现出巨大的量级。我们的结果在通过注入自旋 - 轨道电流研究负 IOHE 方面具有创新性和开创性。