纳米级厚度 YIG/Pt 系统中的逆自旋霍尔效应
材料科学
2013-08-27 v1
摘要
利用脉冲激光沉积技术在 GGG 衬底上生长了高质量纳米级厚度（20 nm、7 nm 和 4 nm）的外延 YIG 薄膜。20 nm 厚薄膜的 Gilbert 阻尼系数为 2.3 x 10-4，这是亚微米级厚度薄膜报道的最低值。我们演示了利用 Pt 检测传播自旋波的逆自旋霍尔效应 (ISHE)。ISHE 电压的幅值和线形与 YIG 厚度减小导致的 Gilbert 阻尼增加具有良好的相关性。进行了基于自旋霍尔效应的损耗补偿实验，但未检测到磁化动力学的变化。
引用
@article{arxiv.1308.0192,
title = {Inverse Spin Hall Effect in nanometer-thick YIG/Pt system},
author = {O. d'Allivy Kelly and A. Anane and R. Bernard and J. Ben Youssef and C. Hahn and A-H. Molpeceres and C. Carrétéro and E. Jacquet and C. Deranlot and P. Bortolotti and R. Lebourgois and J-C. Mage and G. de Loubens and O. Klein and V. Cros and A. Fert},
journal= {arXiv preprint arXiv:1308.0192},
year = {2013}
}