使用三端几何结构在锗中实现电学自旋注入与探测
材料科学
2015-05-28 v1
摘要
在这封信中，我们报告了使用 Co/Py/AlO 自旋注入器和三端非局域测量，在 \textit{n} 型绝缘体上锗 (GOI) 中成功实现了电学自旋注入与探测。我们观察到一个增强的自旋积累信号，量级约为 1 meV，这与通过 AlO/Ge 界面附近界面态的逐级隧穿过程一致。该自旋信号在高达 220 K 的温度下仍可观测到。此外，强 \textit{反向} Hanle 效应的存在表明，界面粗糙度引起的随机场对注入的自旋有影响。
引用
@article{arxiv.1107.3510,
title = {Electrical spin injection and detection in Germanium using three terminal geometry},
author = {A. Jain and L. Louahadj and J. Peiro and J. C. Le Breton and C. Vergnaud and A. Barski and C. Beigné and L. Notin and A. Marty and V. Baltz and S. Auffret and E. Augendre and H. Jaffrès and J. M. George and M. Jamet},
journal= {arXiv preprint arXiv:1107.3510},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 3 figures