n型锗外延层中室温自旋输运的实验演示
材料科学
2015-05-20 v1
摘要
我们首次实验演示了在Si(001)衬底上生长的n型Ge外延层中的室温自旋输运。利用铁磁共振下的自旋泵浦，其本质上为与铁磁体相连的半导体赋予了自旋电池功能，从而在室温下的n-Ge中产生纯自旋流。通过n-Ge上Pt或Pd电极的逆自旋霍尔效应探测该纯自旋流。包含几何贡献的理论模型可估算室温下n-Ge中的自旋扩散长度为660 nm。自旋弛豫时间的温度依赖性提供了Elliott-Yafet自旋弛豫机制的证据。
引用
@article{arxiv.1501.06691,
title = {An experimental demonstration of room-temperature spin transport in n-type Germanium epilayers},
author = {Sergey Dushenko and Mariko Koike and Yuichiro Ando and Teruya Shinjo and Maksym Myronov and Masashi Shiraishi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1501.06691},
year = {2015}
}
备注
27 pages, 6 figures, Suppelmental Materials