室温下 p 型 Si 中自旋泵浦诱导的自旋输运
材料科学
2013-01-30 v4
摘要
将自旋电池概念应用于 p 型硅中纯自旋流的动力学产生与自旋输运。Ni80Fe20 中的铁磁共振和有效 s-d 耦合导致 Ni80Fe20/p-Si 界面处的自旋积累，从而诱导自旋注入并在 p-Si 中产生自旋流。纯自旋流通过沉积在 p-Si 上的 Pd 的逆自旋霍尔效应转换为电荷流。该方法证明了室温下 p-Si 中纯自旋流的产生与输运。
引用
@article{arxiv.1107.0376,
title = {Spin-pumping-induced spin transport in p-type Si at room temperature},
author = {Eiji Shikoh and Kazuya Ando and Eiji Saito and Kazuki Kubo and Teruya Shinjo and Masashi Shiraishi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1107.0376},
year = {2013}
}
备注
23pages, 5 figures (To appear in Phys. Rev. Lett.)