裸 GaAs/AlGaAs 层中跨越数十微米的纳秒级自旋转移
介观与纳米尺度物理
2016-05-16 v1
摘要
自旋守恒长度尺度是决定广泛自旋电子器件功能的关键参数，这些器件包括商业化磁存储器中的磁多层自旋阀或实验性自旋逻辑元件中的横向自旋晶体管。横向器件中的空间分辨光学泵浦-探测实验允许直接测量自旋信息从注入极传输到探测极的长度尺度和时间尺度。利用该技术，我们证明了在未掺杂的 GaAs/AlGaAs 层中，在泵浦脉冲后短至纳秒的时间，在距注入点超过十微米的距离处检测到自旋。所观察到的长程与高速率电子自旋传输的独特组合需要同时抑制限制自旋寿命和载流子迁移率的机制。与早期专注于精细掺杂、门控或异质结构的尝试不同，我们证明了裸 GaAs/AlGaAs 层无论直接沉积在衬底上还是嵌入复杂异质结构中，都本征地提供优越的自旋传输特性。
引用
@article{arxiv.1510.01978,
title = {Nanosecond spin-transfer over tens of microns in a bare GaAs/AlGaAs layer},
author = {L. Nádvorník and P. Němec and T. Janda and K. Olejník and V. Novák and V. Skoromets and H. Němec and P. Kužel and F. Trojánek and T. Jungwirth and J. Wunderlich},
journal= {arXiv preprint arXiv:1510.01978},
year = {2016}
}