稀磁半导体 (Ga,Mn)As 中自旋轨道力矩有效场的温度依赖性
介观与纳米尺度物理
2014-07-10 v1
摘要
我们报道了关于稀铁磁半导体 (Ga,Mn)As 中由自旋轨道相互作用引起的电流诱导有效磁场温度依赖性的研究。在施加电流方向相反的情况下，横向电阻随外磁场变化的测量差异中，明显存在来自有效场以及反常 Nernst 效应的贡献。我们通过拟合相干旋转磁化模型分别提取了这些贡献。具有 Dresselhaus 对称性的有效场分量随温度升高而显著增强，而具有 Rashba 对称性的分量未观察到显著的温度依赖性。
引用
@article{arxiv.1407.2409,
title = {Temperature dependence of spin-orbit torque effective fields in the diluted magnetic semiconductor (Ga,Mn)As},
author = {B. Howells and K. W. Edmonds and R. P. Campion and B. L. Gallagher},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.2409},
year = {2014}
}
备注
6 pages, 3 figures