具有 Ta 基底层 CoFeB|MgO 异质结构中电流诱导力矩的反常温度依赖性
介观与纳米尺度物理
2015-06-18 v1 材料科学
摘要
我们研究了具有 Ta 基底层的 CoFeB|MgO 异质结构中电流诱导有效场的底层厚度和温度依赖性。发现有效场饱和时的底层厚度在有效场的两个正交分量之间是不同的，即阻尼类项倾向于在比场类项更小的底层厚度处饱和。对于有效场饱和的大底层厚度薄膜，我们发现温度显著影响有效场的大小。在两个分量的温度依赖性中发现了显著差异：随着温度升高，阻尼类项减小，而场类项增加。使用简单的自旋扩散 - 自旋转移模型，我们发现只要有效自旋混合电导的实部和虚部为负，就可以解释所有这些结果。这些结果意味着，要么该系统中的自旋输运不同于传统的金属界面，要么为了准确建模该系统，需要考虑自旋扩散到磁层以外的其他效应。
引用
@article{arxiv.1402.6388,
title = {Anomalous temperature dependence of current induced torques in CoFeB|MgO heterostructures with Ta based underlayers},
author = {Junyeon Kim and Jaivardhan Sinha and Seiji Mitani and Masamitsu Hayashi and Saburo Takahashi and Sadamichi Maekawa and Michihiko Yamanouchi and Hideo Ohno},
journal= {arXiv preprint arXiv:1402.6388},
year = {2015}
}