Rashba 自旋 - 轨道耦合驱动的门控纳米线自旋晶体管工作
介观与纳米尺度物理
2015-06-18 v1
摘要
本文提出了门控 InAs 纳米线中自旋晶体管工作的理论描述。计算得到的电流 - 电压特性表明，从源极（自旋注入器）流向漏极（自旋探测器）的电流随栅极电压的变化而振荡，这是由栅极附近 Rashba 自旋 - 轨道相互作用引起的电子自旋进动所致。我们研究了自旋晶体管的两种工作模式：(A) 理想工作模式，即接触端电子具有完全自旋极化、零温度且对应于横向运动最低能级子带的单导电通道；(B) 更现实的工作模式，即接触端电子具有部分自旋极化、室温条件并考虑了通过多个横向子带的导电。对于模式 (A)，通过适当调节栅极电压可实现自旋极化电流的开启/关闭；对于模式 (B)，电流也表现出显著的振荡，但其最小值不为零。将模式 (B) 的计算结果与最近的实验数据进行了比较，发现两者吻合良好。
引用
@article{arxiv.1311.7029,
title = {Spin transistor operation driven by the Rashba spin-orbit coupling in the gated nanowire},
author = {P. Wójcik and J. Adamowski and B. J. Spisak and M. Wołoszyn},
journal= {arXiv preprint arXiv:1311.7029},
year = {2015}
}
备注
8 pages, 11 figures