具有 Rashba 效应的金属 - 半导体异质结构的隧穿电导
介观与纳米尺度物理
2008-05-28 v2
摘要
我们从理论上研究了由具有 Rashba 自旋轨道耦合的金属和半导体组成的混合结构的面内隧穿谱。我们发现，电导谱中两个不同特征之间的能量间距可用于测量半导体的 Rashba 能量。我们还考虑了界面处自旋守恒散射和自旋翻转散射概率的变化对总电导的影响。令人惊讶的是，在某些条件下，界面散射概率的增加实际上会导致电导增加。特别是在隧穿机制下，自旋翻转散射概率的增加会增强电导。研究还发现，界面散射极大地影响了金属中电导的自旋极化，但对半导体中的自旋极化几乎没有影响。
引用
@article{arxiv.0802.1097,
title = {Tunneling conductance of a metal-semiconductor heterostructure with Rashba effect},
author = {B Srisongmuang and P Pairor and M Berciu},
journal= {arXiv preprint arXiv:0802.1097},
year = {2008}
}