铁磁绝缘体上金属薄膜的本征磁阻
介观与纳米尺度物理
2015-06-22 v1
摘要
我们预测了正常金属 | 铁磁绝缘体双层结构中由界面 Rashba 自旋轨道耦合诱导的磁阻效应。其依赖于电流方向与磁化方向之间的夹角，这与由自旋霍尔效应和逆自旋霍尔效应共同作用引起的“自旋霍尔磁阻”机制相同。由于现象学上的同一性，Nakayama 等人报道的磁阻究竟是体金属效应还是界面效应尚不明显。界面 Rashba 诱导的磁阻可通过其对金属薄膜厚度的依赖性，与体金属自旋霍尔磁阻区分开来。
引用
@article{arxiv.1407.3571,
title = {Intrinsic magnetoresistance in metal films on ferromagnetic insulators},
author = {Vahram L. Grigoryan and Wei Guo and Gerrit E. W. Bauer and Jiang Xiao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.3571},
year = {2015}
}