铁磁体/拓扑绝缘体接触界面在室温下的大磁阻
介观与纳米尺度物理
2016-08-24 v1
摘要
我们报道了在100 K至室温范围内，利用磁场初始取向化嵌入的铁磁Fe条的磁排列时，流经铁/拓扑绝缘体(Fe/TI)以及Fe/蒸发氧化物/TI接触界面的电流所产生的磁阻。该磁阻与Fe条磁化方向和TI表面具有螺旋自旋-动量锁定的运动电子的自旋极化方向的相对取向有关。与先前工作相比，观察到的磁阻量级相对较大。
引用
@article{arxiv.1603.07283,
title = {Large Magnetoresistance at Room Temperature in Ferromagnet/Topological Insulator Contacts},
author = {Sarmita Majumder and Samaresh Guchhait and Rik Dey and Leonard Franklin Register and Sanjay K. Banerjee},
journal= {arXiv preprint arXiv:1603.07283},
year = {2016}
}
备注
4 pages, 4 figures, submitted in IEEE Transaction