拓扑绝缘体表面的面内磁电阻
超导电性
2015-05-18 v2
摘要
我们研究了拓扑绝缘体表面上铁磁绝缘体-正常绝缘体-铁磁绝缘体(F|N|F)和铁磁绝缘体-势垒绝缘体-铁磁绝缘体(F|B|F)结的隧穿磁输运性质，其中两侧铁磁层的面内磁化方向可以平行或反平行。我们推导了这两种结在磁化方向平行和反平行情况下的电子电导解析表达式，并据此计算了两种结的磁电阻。在分析F|B|F结时，我们采用了薄势垒近似。我们发现，尽管F|N|F和F|B|F结的磁电阻均可通过改变磁化织构的强度来调控，但它们随磁化强度变化的行为不同。与F|N|F结的磁电阻相反，F|B|F结的磁电阻随磁化强度增加而呈现非常平滑的增强。我们提出了一个实验装置来探测我们预测的效应。
引用
@article{arxiv.1002.4882,
title = {In-Plane Magnetoresistance on the Surface of Topological Insulator},
author = {Morteza Salehi and Mohammad Alidoust and Yousef Rahnavard and Gholamreza Rashedi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1002.4882},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 7 figures