拓扑绝缘体中的隧穿平面霍尔效应：自旋阀与放大器
介观与纳米尺度物理
2016-10-18 v2
摘要
我们研究了三维拓扑绝缘体表面上单个铁磁势垒的隧穿现象。当存在沿偏置方向的磁化分量时，会发展出垂直于外加偏置的隧穿平面霍尔电导（TPHC）。对势垒的静电调控可实现巨大的霍尔角，使得TPHC超过纵向隧穿电导。通过改变面内磁化方向，可以在不打开拓扑表面态能隙的情况下改变纵向和横向微分电导的符号。因此，拓扑绝缘体/铁磁体结中的输运可以从简单的自旋阀急剧改变为放大器。
引用
@article{arxiv.1601.01009,
title = {Tunneling Planar Hall Effect in Topological Insulators: Spin-Valves and Amplifiers},
author = {Benedikt Scharf and Alex Matos-Abiague and Jong E. Han and Ewelina M. Hankiewicz and Igor Žutić},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.01009},
year = {2016}
}
备注
13 pages, pages 6-13 contain supplemental material