基于拓扑绝缘体表面的铁磁/正常/铁磁隧道结中的电子输运
介观与纳米尺度物理
2013-05-03 v2
摘要
我们从理论上研究了沉积在拓扑表面顶部的铁磁/正常/铁磁隧道结中的电子输运性质。平行（\textbf{P}）构型下的电导远大于反平行（\textbf{AP}）构型下的电导。与\textbf{AP}构型相比，\textbf{P}构型存在一个可通过栅极电压调控的相位移动。我们发现交换场对\textbf{P}构型下载流子的电导影响微弱，但能显著抑制\textbf{AP}构型下载流子的电导。这种可控的电子输运暗示了该拓扑自旋阀中存在反常磁阻效应，这可能有助于自旋电子学的发展。此外，我们发现存在类法布里 - 珀罗电子干涉现象。
引用
@article{arxiv.1204.0956,
title = {Electron transport in a ferromagnetic/normal/ferromagnetic tunnel junction based on the surface of a topological insulator},
author = {Jian-Hui Yuan and Yan Zhang and Jian-Jun Zhang and Ze Cheng},
journal= {arXiv preprint arXiv:1204.0956},
year = {2013}
}
备注
15 pages, 7 figure