拓扑 Y 形结设备中的强相关传输

我分析通过由二维拓扑绝缘体（2DTI）的螺旋边缘态形成的 Y 形结进行的电子传输，聚焦于强相互作用 regime。提出一种以实验为导向的器件几何和自旋守恒隧穿哈密顿量。我计算导电张量并显示对于特定隧穿相位和强排斥相互作用（$g<1/2$），传输由介质重整化群固定点支配，该固定点在弱-强隧穿极限之间进行插值。这些结果扩展了之前的点接触隧穿研究，表明相互作用如何定性修改多端口拓扑器件的传输属性。