分数量子霍尔边缘输运中的接触、平衡化与相互作用

我们研究了在多通道分数量子霍尔边缘中，在通道间相互作用和通道间随机隧穿同时存在的情况下的电子输运，重点考察接触的作用。我们讨论中的主要例子是填充因子 2/3 处具有两个反向传播通道的边缘。在建立将多通道边缘的接触描述为热库的一般框架后，我们特别关注接触的线结模型，并研究了在接触下方通道间相互作用强度任意、且在接触外可能不同的情况下的非相干电荷输运。我们表明，电导并不显式依赖于接触区域内或外的相互作用强度（隐式地，仅通过隧穿率的重正化而依赖）。相反，长线结接触由一个单一参数刻画，该参数定义了与接触处于热平衡的模态，并由接触下方各类散射的相互作用决定。该参数——在热库的理想化模型中扮演有效相互作用强度的角色——通常非零并影响电导。我们构建了分馏重正化隧穿框架，以描述在无序和通道间相互作用存在时无序对输运的影响。在此框架内，我们详细讨论了边缘体相中任意强相互作用以及刻画线结接触的任意有效相互作用下的电荷平衡化。