拓扑绝缘体中无手征异常的负磁阻
介观与纳米尺度物理
2017-10-25 v3
摘要
拓扑半金属和拓扑绝缘体中一个引人入胜的现象是当磁场沿电流方向施加时观测到的负磁阻（MR）。对拓扑半金属中负磁阻的普遍理解是手征异常，然而其在拓扑绝缘体中并未明确定义。我们利用半经典运动方程计算了一个三维拓扑绝缘体的磁阻，其中贝里曲率显式地诱导了反常速度和轨道磁矩。我们的理论结果与实验在定量上一致。负磁阻对温度不敏感，并随费米能量接近能带边缘而增大。轨道磁矩和 g 因子也在负磁阻中起重要作用。我们的结果为三维拓扑绝缘体中的负磁阻提供了合理解释，并将有助于理解拓扑物质态中的反常量子输运。
引用
@article{arxiv.1705.02724,
title = {Negative Magnetoresistance without Chiral Anomaly in Topological Insulators},
author = {Xin Dai and Z. Z. Du and Hai-Zhou Lu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1705.02724},
year = {2017}
}
备注
published version