亚铁磁节线半导体 Mn$_3$Si$_2$Te$_6$ 中的反常 Nernst 效应
强关联电子
2023-09-08 v1
摘要
在亚铁磁节线半导体 MnSiTe 中，由于磁性与拓扑节线费米学的相互作用，在 K 以下出现巨磁阻（CMR）。与拓扑节线相关的 Berry 曲率预期会产生反常 Nernst 效应。在此，我们呈现了 MnSiTe 在 以下可观的反常 Nernst 信号。在 CMR 最显著的低磁场区域，Nernst 信号与磁化强度之间的标度比相较传统磁性材料显著增强。增强的 Nernst 效应与 CMR 可能共享相同机制，且紧密关联于节线拓扑。
引用
@article{arxiv.2302.13735,
title = {Anomalous Nernst effect in a ferrimagnetic nodal-line semiconductor Mn$_3$Si$_2$Te$_6$},
author = {Chen Ran and Xinrun Mi and Junying Shen and Honghui Wang and Kunya Yang and Yan Liu and Guiwen Wang and Guoyu Wang and Youguo Shi and Aifeng Wang and Yisheng Chai and Xiaolong Yang and Mingquan He and Xin Tong and Xiaoyuan Zhou},
journal= {arXiv preprint arXiv:2302.13735},
year = {2023}
}
备注
6 pages, 4 figures