二维过渡金属二硫族化合物中的可调拓扑 Nernst 效应

二维半导体过渡金属二硫族化合物（TMDs）表现出内禀的 Ising 自旋轨道耦合（SOC）以及谷对比 Berry 曲率，这能够产生由热梯度驱动的纯反常自旋与谷 Nernst 信号。我们证明，在门控 TMDs 中存在的小 Bychkov-Rashba 耦合可以将谷 Nernst 信号放大至少 1-2 个数量级。我们发现，这些材料中的 Nernst 信号由反常几何贡献主导，而常规贡献要弱得多。重要的是，Nernst 信号也可以通过外部门控进行高度调节。尽管总 Nernst 信号由于时间反演（TR）对称性而消失，但小的磁耦合会解除谷简并并产生放大的 Nernst 响应。此外，我们还讨论了双层 TMDs 的 Nernst 响应，并展示了由于 Rashba SOC 导致的 Nernst 信号的类似增强与调制。我们的预测与正在进行的 TMDs 实验研究高度相关。产生的大反常 Nernst 信号可以直接探测这些材料中是否存在大 Berry 曲率，并可能成为热电子学应用的一个有前景的可调平台。