应变过渡金属硫族化合物中的拓扑非线性反常能斯特效应

我们利用电子动力学的半经典框架，从理论上分析了作为温度梯度二阶响应的非线性反常能斯特效应。我们发现，在具有破缺反演对称性的时间反演对称材料中，可以产生垂直于所施加温度梯度的非线性电流。该效应具有量子起源，源于费米面附近能态的 Berry 曲率。我们讨论了在单轴应变作用下过渡金属硫族化合物（TMDCs）中的非线性能斯特效应。特别地，我们预测在 TMDCs 中固定化学势时，非线性能斯特电流在低温区呈现 $\textbf{j}^\text{dip}_\text{A}\sim T^{-2}$ 的温度依赖关系，而在高温区转变为线性 $T$ 依赖。