单层VI族二硫族化物中基于反常能斯特效应的热驱动纯自旋与谷电流
介观与纳米尺度物理
2016-01-19 v1
摘要
分析了单层 MoS2 及其他 VI 族二硫族化物中依赖于自旋和谷的反常能斯特效应。我们发现，在这些二维材料平面内，可生成垂直于所施加热梯度的纯自旋与谷电流。该效应为自旋热电子学应用提供了多功能平台。引入自旋电流纯度因子来量化此效应。当时间反演对称性被破坏时（例如二维材料置于绝缘磁性衬底上），总能斯特系数出现凹陷-峰值特征。对于凹陷态，发现仅具有一种自旋且来自一个谷的载流子受温度梯度驱动。
引用
@article{arxiv.1511.00082,
title = {Thermally driven pure spin and valley current via anomalous Nernst effect in monolayer group-VI dichalcogenides},
author = {X. -Q. Yu and Z. -G. Zhu and G. Su and A. -P. Jauho},
journal= {arXiv preprint arXiv:1511.00082},
year = {2016}
}
备注
5 pages, 5 figures, will appear in Physical Review Letters