硅烯及类似二维材料中拓扑能斯特效应的预测
介观与纳米尺度物理
2014-02-26 v1
摘要
我们考虑了硅烯中由贝里相位介导的能斯特效应。硅烯的低能带结构由狄拉克点附近的两个谷组成，类似于石墨烯。准粒子的低能输运性质可描述为依赖于贝里相位的现象。与石墨烯相比，硅烯具有强自旋 - 轨道相互作用，导致能谱中打开能隙以及每个谷中能带的自旋分裂。如果施加垂直于硅烯片的电场，则可以调节该能隙。我们表明，当系统受到温度梯度作用时，这会导致由贝里相位支持的自旋和谷极化的能斯特效应。能斯特响应可用于在硅烯片的横向边缘产生谷和自旋极化。所施加的电场还允许控制硅烯中的谷和自旋极化。预测的硅烯中谷和自旋极化的能斯特效应具有更普遍的意义，适用于其他二维 (2D) 弯曲狄拉克费米子系统，如二维锗和锡。
引用
@article{arxiv.1402.6113,
title = {Prediction of topological Nernst effect in silicene and similar 2D materials},
author = {I. Ahmed and M. Tahir and K. Sabeeh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1402.6113},
year = {2014}
}