反常型和拓扑 Hall 效应在抗磁性 EuSn₂As₂ 纳米结构中的研究
介观与纳米尺度物理
2026-03-17 v1
摘要
我们研究了来自外层剥离的 EuSn₂As₂ 磁性 3D 拓扑绝缘体材料的磁性输运。类似于宏观单晶，低于 Néel 温度（T_N = 24 K）以下观察到的负磁阻与易平面抗磁性态 (CAF) 的抗磁性态有关，当倾斜施加的磁场时，饱和场值会增加（μ₀Hᶜₛ = 4.9 T, μ₀Hᵃᵇₛ = 3.6 T）。在最高可达 14 T 的更高精度测量中，进一步证明了由于多个电子带导致的非线性正常霍尔响应。有趣的是，由于磁性引起的横向电阻表现出 CAF 态中的异常霍尔效应，同时也发现了由手性自旋纹理导致的拓扑霍尔效应，这在 AFM 或螺旋磁体中均可观察。实际空间中的手性自旋纹理，已在另一种磁性拓扑绝缘体 MnBi₂Te₄ 中报告，可能是磁性 3D 拓扑绝缘体中普遍出现的特征。
引用
@article{arxiv.2603.15277,
title = {Anomalous and Topological Hall Effects in Antiferromagnetic EuSn2As2 Nanostructures},
author = {Evgeny I. Maltsev and Nicolas Pérez and Romain Giraud and Kranthi Kumar Bestha and Anja U. B. Wolter and Joseph Dufouleur and Kirill S. Pervakov and Vladimir M. Pudalov and Kornelius Nielsch and Bernd Büchner and Louis Veyrat},
journal= {arXiv preprint arXiv:2603.15277},
year = {2026}
}
备注
12 pages, 10 figures