层状磁性拓扑绝缘体 EuSn2As2 中的反常磁性质
材料科学
2021-09-09 v1
摘要
具有层状菱方晶体结构的 EuSn2As2 被认为是本征反铁磁(AFM)拓扑绝缘体的候选材料。在此，我们针对高质量 EuSn2As2 单晶在磁场平行与垂直于 (00l) 面时进行了系统的磁电阻(MR)与磁化测量。磁化率与纵向电阻率的扭折均表明 EuSn2As2 在 TN = 21 K 发生反铁磁转变。在 T = 2 K 时，磁化在相应的临界磁场处呈现出约 5.6 μB/Eu 与约 6.6 μB/Eu 的两个连续平台。结合负纵向磁电阻与反常霍尔电阻，我们证明随着磁场增大，EuSn2As2 经历了从反铁磁态到在 Hc 处的倾斜铁磁(FM)态、再到在 Hs 处的极化铁磁态的复杂磁转变。
引用
@article{arxiv.2109.03414,
title = {Unusual Magnetic Properties in Layered Magnetic Topological Insulator EuSn2As2},
author = {Huijie Li and Wenshuai Gao and Zheng Chen and Weiwei Chu and Yong Nie and Shuaiqi Ma and Yuyan Han and Min Wu and Tian Li and Qun Niu and Wei Ning and Xiangde Zhu and Mingliang Tian},
journal= {arXiv preprint arXiv:2109.03414},
year = {2021}
}
备注
12 pages, 4 figures