轴子绝缘体EuIn$_2$As$_2$的高阶拓扑
材料科学
2019-07-03 v2 强关联电子
摘要
基于第一性原理计算与对称性分析，我们提出EuInAs是一种期待已久的、具有反铁磁（AFM）长程序的轴子绝缘体。以基于宇称的不变量 为特征，其体内拓扑磁电效应被量子化为 ，带隙高达0.1 eV。当AFM相的交错磁矩沿 轴时，它也是一种TCI相。无能隙表面态出现在(100)、(010)和(001)表面上，由镜像对称性保护（非零镜像陈数）。当磁矩沿 轴时，(100)和(001)表面是有能隙的。作为 的高阶拓扑绝缘体的结果，一维（1D）手征态可以存在于这些有能隙表面之间的棱上。我们分别计算了系统不同相中的拓扑表面态和棱态，它们可通过ARPES或STM实验探测。
引用
@article{arxiv.1903.09856,
title = {Higher-order Topology of Axion Insulator EuIn$_2$As$_2$},
author = {Yuanfeng Xu and Zhida Song and Zhijun Wang and Hongming Weng and Xi Dai},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.09856},
year = {2019}
}