轴子绝缘体候选材料 EuIn2As2 中磁序诱导的表面态演化
强关联电子
2022-10-12 v1
摘要
通过破缺时间反演对称性使狄拉克表面态打开能隙，可在凝聚态中实现轴子绝缘体态。尽管付出了巨大努力，仅有少数材料体系属于本征磁性拓扑绝缘体（TI）这一类。近期理论计算提出反铁磁性 EuInAs 是一种具有能隙表面态的拓扑非平庸磁性绝缘体。在此我们使用扫描隧道显微镜与谱学（STM/STS），并结合密度泛函理论（DFT）计算与建模来探测 EuInAs 中的表面电子态。我们发现一个由自旋轨道耦合引起的体带隙，约 120 meV，仅位于费米能级以上几 meV 处，拓扑表面态居于其中。温度依赖测量提供了在低于反铁磁（AFM）序的低温度下表面态部分打开能隙（约 40 meV）的证据，该能隙随温度升高而减小，但在 以上仍保持有限。
引用
@article{arxiv.2209.09972,
title = {Surface state evolution induced by magnetic order in axion insulator candidate EuIn2As2},
author = {Mingda Gong and Divyanshi Sar and Joel Friedman and Dariusz Kaczorowski and S. Abdel Razek and Wei-Cheng Lee and Pegor Aynajian},
journal= {arXiv preprint arXiv:2209.09972},
year = {2022}
}
备注
8 pages, 8 figures, to be published in Physical Review B