高阶拓扑绝缘体候选材料 EuIn$_2$As$_2$ 中温度依赖的电子结构
介观与纳米尺度物理
2020-11-04 v1 材料科学
摘要
高阶拓扑绝缘体（HOTI）因其在晶体棱边上支持无隙态的新奇特性而引发了巨大的研究兴趣。尽管已有若干理论预言，对晶态固体中 HOTI 态的充分实验证实仍然缺乏。众所周知，拓扑与磁性之间的相互作用可产生包括 HOTI 与轴子绝缘体态在内的多种磁性拓扑态。本文利用高分辨率角分辨光电子能谱（ARPES）结合第一性原理计算，系统研究了具有反铁磁基态（低于 16 K）的 EuIn2As2 在磁相变过程中的能带拓扑。反铁磁 EuIn2As2 被预言可同时承载轴子绝缘体与 HOTI 相。我们的实验结果显示了拓扑态跨越磁相变的清晰演化特征。因此，本研究特别适于理解材料中高阶拓扑与磁性的相互作用。
引用
@article{arxiv.1911.03703,
title = {Temperature Dependent Electronic Structure in a Higher Order Topological Insulator Candidate EuIn$_2$As$_2$},
author = {Sabin Regmi and Md Mofazzel Hosen and Barun Ghosh and Bahadur Singh and Gyanendra Dhakal and Christopher Sims and Baokai Wang and Firoza Kabir and Klauss Dimitri and Yangyang Liu and Amit Agarwal and Hsin Lin and Dariusz Kaczorowski and Arun Bansil and Madhab Neupane},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.03703},
year = {2020}
}
备注
6 pages, 4 figures