三维拓扑绝缘体 Bi2Se3 中的各向异性强负磁阻
介观与纳米尺度物理
2016-08-15 v1
摘要
我们报道了对三维拓扑绝缘体 Bi2Se3 外延薄膜的高场角度依赖磁输运测量。在低温下，我们观察到量子振荡，证明了体载流子和表面载流子的同时存在。发现 Bi2Se3 的磁阻具有高度各向异性。在平行电场和磁场存在的情况下，我们观察到强烈的负纵向磁阻，这一现象曾被认为是由于所谓轴子反常而在某一类半金属中存在手性费米子的确凿证据。其在三维拓扑绝缘体中的观察意味着，轴子反常实际上可能是一种比最初认为的更为普遍的现象。
引用
@article{arxiv.1608.03615,
title = {Anisotropic and strong negative magneto-resistance in the three-dimensional topological insulator Bi2Se3},
author = {S. Wiedmann and A. Jost and B. Fauque and J. van Dijk and M. J. Meijer and T. Khouri and S. Pezzini and S. Grauer and S. Schreyeck and C. Brune and H. Buhmann and L. W. Molenkamp and N. E. Hussey},
journal= {arXiv preprint arXiv:1608.03615},
year = {2016}
}
备注
6 pages, 4 figures