Bi₂Se₃中由三维体费米面引起的磁阻角度依赖振荡
材料科学
2015-05-18 v1
摘要
我们在一个载流子密度为5×10¹⁸ cm⁻³的高质量Bi₂Se₃单晶中观察到了显著的磁阻（MR）角度依赖振荡，该材料是具有剩余体载流子的拓扑绝缘体。我们表明，利用从舒布尼科夫-德哈斯振荡获得的参数可以很好地模拟所观察到的角度依赖振荡，这证实了这些振荡完全源于体费米面。通过完全阐明体振荡，这一结果为在载流子密度更低的Bi₂Se₃的角度依赖磁阻研究中区分二维表面态铺平了道路。此外，本结果有力地证明了各向异性三维费米面的朗道量子化如何能够产生显著的角度依赖磁阻振荡。
引用
@article{arxiv.1001.5353,
title = {Angular-dependent oscillations of the magnetoresistance in Bi_2Se_3 due to the three-dimensional bulk Fermi surface},
author = {Kazuma Eto and Zhi Ren and A. A. Taskin and Kouji Segawa and Yoichi Ando},
journal= {arXiv preprint arXiv:1001.5353},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 5 figures