中文

Cu$_{0.07}$Bi$_{2}$Se$_{3}$ 的体费米面与电子性质

材料科学 2015-06-15 v1

摘要

本文利用 Shubnikov-de Haas 效应与光学反射率测量研究了 Cu0.07_{0.07}Bi2_{2}Se3_{3} 的电子性质。量子振荡揭示了一个三维体费米面,其各向异性 kFc/kFabk^{c}_{F}/k^{ab}_{F}\approx 2,且自由载流子浓度与散射率相较于未掺杂的 Bi2_{2}Se3_{3} 仅有适度增加,这也得到了反射率数据的证实。其有效质量与 Bi2_{2}Se3_{3} 几乎相同。光学电导率表明,随着 Cu 的掺入,束缚杂质带显著增强,这表明大量 Cu 原子进入了 Bi 与 Se 层之间的间隙位,甚至可能取代了 Bi。X 射线衍射测量也支持这一结论,其中发现 Cu0.07_{0.07}Bi2_{2}Se3_{3} 相较于 Bi2_{2}Se3_{3} 的微应变显著增加。

关键词

引用

@article{arxiv.1305.1612,
  title  = {Bulk Fermi surface and electronic properties of Cu$_{0.07}$Bi$_{2}$Se$_{3}$},
  author = {C. Martin and V. Craciun and K. H. Miller and B. Uzakbaiuly and S. Buvaev and H. Berger and A. F. Hebard and D. B. Tanner},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1305.1612},
  year   = {2015}
}

备注

Accepted to Phys. Rev B (R)