Cu$_{0.07}$Bi$_{2}$Se$_{3}$ 的体费米面与电子性质
材料科学
2015-06-15 v1
摘要
本文利用 Shubnikov-de Haas 效应与光学反射率测量研究了 CuBiSe 的电子性质。量子振荡揭示了一个三维体费米面,其各向异性 2,且自由载流子浓度与散射率相较于未掺杂的 BiSe 仅有适度增加,这也得到了反射率数据的证实。其有效质量与 BiSe 几乎相同。光学电导率表明,随着 Cu 的掺入,束缚杂质带显著增强,这表明大量 Cu 原子进入了 Bi 与 Se 层之间的间隙位,甚至可能取代了 Bi。X 射线衍射测量也支持这一结论,其中发现 CuBiSe 相较于 BiSe 的微应变显著增加。
引用
@article{arxiv.1305.1612,
title = {Bulk Fermi surface and electronic properties of Cu$_{0.07}$Bi$_{2}$Se$_{3}$},
author = {C. Martin and V. Craciun and K. H. Miller and B. Uzakbaiuly and S. Buvaev and H. Berger and A. F. Hebard and D. B. Tanner},
journal= {arXiv preprint arXiv:1305.1612},
year = {2015}
}
备注
Accepted to Phys. Rev B (R)